3장 : 메모리와 디스크의 핵심: 순차 논리
컴퓨터는 비트를 어떻게 기억하는가
1. 개요
1) 조합 논리의 한계: 지금 입력만 본다?
앞에서 배운 조합 논리 회로는 어떤 특징이 있었는지 기억나?
👉 입력 값이 바뀌면 즉시 출력도 바뀌는 회로였지!
예를 들어, “0 + 1”을 입력하면 즉시 1이 출력되고, “1 + 1”을 입력하면 즉시 0과 자리올림 1이 나오는 식이었어.
그런데 여기엔 중요한 문제가 있어.
‘기억’이 없다!
지금 입력만 보고 판단하니까, “그 전엔 무슨 일이 있었는지” 전혀 모르는 거야.
이런 상태에서는 컴퓨터가 “지금까지 숫자를 얼마나 더했는지” 같은 걸 절대 기억할 수 없다!! 두둥
그래서 등장한 게 순차 논리 회로야!
2) 순차 논리의 등장! 기억력을 갖춘 회로
순차 논리는 이름부터 **sequence (순서)**에서 왔어. 즉, 시간의 흐름을 다루는 논리야.
조합 논리 = 입력 ➜ 즉시 출력
순차 논리= 입력 + 과거 상태 ➜ 현재 출력
예를 들어, 우리가 1부터 100까지 더할 때 지금까지의 합계를 계속 기억해둬야 하지? 그걸 가능하게 해주는 게 바로 순차 논리야.
즉, 🧠 기억이 있는 회로 🕒 시간의 흐름을 반영하는 회로
그게 순차 논리 회로야!
3) 디지털 회로엔 ‘시간’이 없다?
그런데 여기서 재밌는 게 하나 있어.
우리는 시간을 너무 당연하게 느끼지만, 디지털 회로 자체엔 시간이 없어. 전기 흐름은 순간이잖아.
그래서 우리는 회로 안에서 ‘시간’을 인위적으로 만들어줘야 해.
어떻게? 바로 클럭(clock)이라는 회로를 통해서!
💡 한줄 요약
조합 논리는 “지금 입력”만 보고 판단하는 회로 순차 논리는 “과거의 상태 + 지금 입력”을 함께 고려해서 판단하는 회로
컴퓨터가 상태를 기억하고, 명령의 흐름을 제어하고, 복잡한 연산을 이어서 수행할 수 있는 건 전부 이 순차 논리 덕분이야!
2. 시간 표현과 상태 기억
⏱️ 컴퓨터는 어떻게 시간을 알까?
1) 시간이라는 건 ‘흐름’이 필요해!
앞에서 조합 논리는 입력에 따라 즉시 출력이 결정되는 구조라고 했지? 근데 컴퓨터가 무언가를 기억하거나, *시간이 지나면서 상태를 바꿔야 할 때”는 얘기가 달라져.
예를 들어
알람이 울릴 시간이 됐는지 알려줘야 하고
애니메이션을 1초에 몇 프레임씩 보여줄지 정해야 하고
입력이 들어온 시점에 따라 이벤트를 다르게 처리해야 할 때!
이럴 땐 단순한 ‘지금 상태만 보는 회로’로는 안 돼.
시간이라는 개념이 필요해지는 거야!
2) 시간은 어떻게 정의할 수 있을까?
시간이란 건 사실 되게 추상적이지. 우리도 눈에 보이는 건 아니잖아?
근데 인간은 오래전부터 시간을 ‘반복되는 무언가’로 측정해왔어.
예를 들어 볼까?
🌍 지구가 한 바퀴 도는 걸 하루(24시간)라고 부르고
🕰️ 하루를 60분씩, 60초씩 잘게 나눠서 1초 = 하루의 1/86,400이라고 정의했어!
이처럼 시간은 주기적으로 반복되는 사건을 기준으로 측정할 수 있어. 이걸 우리는 "주기 함수(Periodic Function)"라고 불러!
3) 고전 방식: 진자 시계
좀 더 감성적인 예시도 있어. 바로 진자 시계! (틱톡-틱톡 하는 괘종시계 알지?)
진자가 왔다 갔다 하는 주기적인 움직임을 이용해서
“1초당 몇 번 움직이는지”를 세서 시간을 측정했어.
근데 문제는…
진자 시계는 느려! 컴퓨터처럼 초당 수십억 번 연산하는 데엔 전혀 안 맞아. 😅
게다가 중력, 마찰, 바람, 진동… 너무 민감해서 정확도도 떨어져.
4) 그럼 컴퓨터는 어떻게 시간을 측정할까?
컴퓨터는 전기로 작동하니까, 전기적 방식으로 주기적인 움직임을 만들어내야 해.
즉,
전자적으로 "틱톡틱톡" 신호를 만드는 장치 =
클럭(Clock)!
이 클럭 회로는 일정한 주기로 전압을 0 ➜ 1 ➜ 0 ➜ 1 이렇게 반복해. 이게 마치 “전자 진자”처럼 시간의 흐름을 표현해주는 거야.
그리고 이 클럭 신호에 맞춰서 컴퓨터 내부 회로가 “이제 연산 시작!”, “이제 저장!”, “이제 전송!” 이런 식으로 행동을 결정하지.
💡 정리하자면…
시간은 반복되는 무언가를 기준으로 정의된다.
예전엔 지구 자전이나 진자처럼 물리적인 방식으로 시간을 쟀지만,
컴퓨터는
주기적인 전기 신호(클럭)를 만들어서 시간을 관리한다.
이 클럭이 순차 논리 회로의 ‘심장박동’ 같은 역할을 하면서, 컴퓨터 내부 모든 동작을 동기화시켜주는 거야! ⚡️
1️⃣ 발진자
컴퓨터는 어떻게 '시간'을 만들어낼까?
1) 인버터를 활용한 시간 만들기 🌀
자, 이제 본격적으로 컴퓨터가 시간의 흐름을 어떻게 구현하는지 알아보자.
먼저, 가장 간단한 방식은 인버터(Inverter)를 사용하는 트릭이야.
인버터란? 입력이 1이면 출력이 0, 입력이 0이면 출력이 1이 되는 NOT 게이트!
이 인버터의 출력을 다시 자기 자신의 입력에 연결하면 어떤 일이 생길까?
출력이 1이 되면, 그게 입력으로 다시 들어가니까 0이 되고
그 0이 다시 출력으로 되돌아와서 1이 되고...
무한 반복!!
즉, 출력이 0과 1 사이에서 계속 진동하게 돼.
이걸 발진(oscillation)이라고 하고, 이런 회로를 발진자(oscillator)라고 불러.
💡 이건 마치 마이크를 스피커에 너무 가까이 뒀을 때 삐— 하는 피드백음이 생기는 거랑 비슷해.
되먹임이라고도 해
그림을 보면 인버터의 출력을 입력에 연결할 수 있는데 이런식의 연결을 바로 되먹임이야.
2) 왜 이렇게 진동시키는 게 중요할까? ⏲️
이 진동하는 신호는 일정한 "주기적인 신호", 즉 클럭(Clock)으로 사용돼. 컴퓨터는 이 신호에 맞춰서 "지금 연산해!", "지금 저장해!" 같은 동작을 동기화시키는 거야.
그런데 문제는…
이 인버터 기반 발진자는 속도가 온도나 전파 지연에 따라 달라질 수 있어. 그러니까, 안정성도 정확성도 조금 떨어지는 거지.
그래서 나온 해결책이 바로…
3) 진짜 정확한 '시간'을 만드는 비밀 무기: 크리스털! 🔮
이제 진짜 멋진 과학이 등장해. 바로 크리스털 발진자(Crystal Oscillator)!
📌 여기서 말하는 크리스털은 그냥 반짝이는 장식용이 아니야.
석영(Quartz) 같은 특정 고체 물질을 말해. 이 물질엔 신기한 능력이 있어!
💡 피에조 전기 효과 (Piezoelectric Effect) or 압전 효과
전극을 크리스털(결정이라는 뜻)에 연결하고 크리스털을 압축하면 크리스털이 전기를 만들어냄
크리스털에 전기를 가하면 → 크리스털이 미세하게 구부러져!
크리스털은 음성 진동을 잡아낼 수 있어 → 마이크를 만들 때 이를 쓸 수 있어!
또한 크리스털에 전기를 가해 음성 진동을 만들어냄으로써 여러 전기 기구에서 다양한 경보음을 낼 수 있음
반대로, 크리스털을 누르면 → 전기를 만들어내!
4) 크리스털 발진자의 작동 원리 ⚙️
자, 이제 이걸 컴퓨터에 어떻게 쓰는지 보자.
크리스털에 전기를 가하면 구부러지면서 진동함.
이 진동을 회로로 받아서 다시 전기로 바꿔냄.
이 과정을 반복하면? → 정확한 주기로 전기 신호가 나오는 거야!
즉, 정확한 '틱톡틱톡'을 전기적으로 만들어주는 장치지.
5) 왜 석영(Quartz)을 쓸까?
석영은 온도 변화에 강하고,
진동 주기가 매우 정확하게 일정해서,
시계, 컴퓨터, 전자기기의 클럭에 많이 쓰여.
그래서 예전 전자시계 광고에 보면
"정확한 석영 시계" 이런 말 많이 들어봤을 거야. 그게 바로 이 원리야!
📌 요약하자면…
인버터로도 진동하는 신호는 만들 수 있지만, 정확도가 떨어져.
그래서 나온 게 크리스털 발진자, 특히 석영 같은 정밀한 재료!
크리스털은 전기를 주면 진동하고, 진동으로 전기를 만들고… 이걸 통해 컴퓨터는 정확하고 일정한 클럭 신호를 만들어서 모든 연산과 저장 타이밍을 조절하는 거야!
2️⃣ 클록
⏱️ 컴퓨터 속 '시간' — 단순한 시계가 아니다!
1) 클록(Clock)이란 무엇일까?
우리가 2장에서 논리 회로와 전파 지연을 배웠잖아? 그 회로들이 안정적으로 작동하려면 "타이밍"이 정말 중요해.
그걸 도와주는 게 바로
클록(Clock)이라는 존재야.
말 그대로 컴퓨터 내부에서 “지금 계산해!”, “기억해!”, “이제 결과 내!” 같은 신호를 주기적으로 보내주는 심장박동 같은 역할을 해.
클록은 밴드에서 드러머가 일정한 박자(템포)를 맞춰주는 것과 똑같아!
2) 왜 클록이 필요할까?
컴퓨터는 모든 계산이 논리 회로에서 전기 신호로 움직이는 과정이야.
그런데 이게 아무리 빠르다고 해도, 0.000000001초의 지연도 생겨.
이걸 전파 지연(Propagation Delay)이라고 부르지.
이 지연이 문제를 일으키지 않게 하려면, "모든 계산이 끝났을 법한 타이밍"까지 기다렸다가 다음 단계로 넘어가야 해.
그러려면 시간을 셀 수 있는 기준이 필요하잖아?
그 기준이 바로 클록 신호(Clock Signal)인 거야! 🕐
3) 발진자가 클록을 만든다!
앞에서 배운 것처럼, 컴퓨터는 내부에 발진자(Oscillator)를 가지고 있어.
대표적으로 크리스털 발진자!
이 발진자가 일정한 주기로 0과 1을 오가는 전기 신호를 만들어내고, 이걸 클록으로 사용해
즉, "틱톡틱톡" 전기적 박자가 되는 거지!
이 박자에 맞춰 CPU는 연산, 저장, 출력 등 모든 작업을 동기화해.
4) 회로 속도 = 클록 속도?
그럼 클록은 무조건 빠를수록 좋은 걸까?
음… 아니야! 🙅
회로마다 처리 속도에 한계가 있거든.
예를 들어, 가산기 같은 회로는 입력이 들어오고 출력이 안정되기까지 약간의 시간이 필요해.
클록이 너무 빨라지면? → 아직 계산이 끝나지도 않았는데 다음 연산을 하라고 지시하는 꼴이 돼. → 그러면 에러나 잘못된 결과가 나올 수도 있지!
그래서 "최악의 경우를 감안한 지연 시간"을 기준으로, 클록 속도를 정해야 해.
🤔 컴퓨터 제작에 필요한 통계❓
컴퓨터 컴포넌트 제작에는 여러 가지 통계가 필요함 👉 컴포넌트를 이루는 부품들 사이에 편차가 크기 때문
5) '클록 속도'는 어떻게 정해질까?
자, 이제 중요한 건 부품마다 성능이 다르다는 점이야. 어떤 트랜지스터는 빠르고, 어떤 건 느릴 수 있어.
그래서 부품을 공장에서 만들고 나면, 각각의 성능을 테스트해서 등급별로 나누는 작업을 해. = 비닝
🧪 비닝(Binning)이란?
비닝은 반도체나 전자 부품을 생산한 다음, 각 부품이 얼마나 성능이 좋은지에 따라 분류하는 작업을 말해.
📦 예를 들어 CPU에서 비닝을 하면?
CPU는 공장에서 생산하면 성능이 다 완전히 똑같지 않아.
왜냐하면 생산 공정에서 아주 미세한 차이가 생기기 때문이야.
그래서 공장에서 이렇게 테스트하지:
“이 CPU는 3.5GHz에서도 안정적으로 잘 돌아가네? → 고성능 빈에 넣자.”
“이건 3.0GHz까지만 안정적이네… → 중간 성능 빈으로.”
“이건 2.5GHz 정도가 한계야… → 저성능 빈으로 넣자.”
🧠 그럼 왜 비닝을 하냐면?
성능별 제품을 다양하게 팔 수 있어 (고급형/보급형)
불량은 줄이고, 수율은 높일 수 있어
같은 설계를 썼지만 성능차를 이용해서 가격을 다르게 설정할 수 있음
그래서 우리가 같은 모델 CPU를 사도, 어떤 건 클록 속도를 더 높게 설정해도 안정적으로 돌아가고, 어떤 건 조금만 속도를 올려도 불안정해져서 에러가 날 수 있어.
6) 오버클로킹이란?
혹시 오버클로킹(Overclocking)이라는 말 들어봤어?
이건 말 그대로 제조사가 보장한 클록 속도보다 더 빠르게 CPU를 돌리는 것이야.
성능이 올라가서 게임이나 영상 편집에 더 좋은 성능을 낼 수 있지만… 대신 발열이 심해지고, 고장 위험도 높아져! 🔥
왜냐하면, 그 CPU가 비닝에서 중간쯤 위치했던 부품일 수 있어서 진짜 한계가 어디인지 알 수 없기 때문이야. (일종의 도박인 셈이지!)
📌 요약하자면?
컴퓨터는 발진자 → 클록 → 회로 동기화로 시간을 컨트롤한다!
클록은 컴퓨터의 심장박동, 모든 동작을 리듬에 맞게 조율해 줘.
클록 속도는 회로의 전파 지연 시간보다 빨라지면 안 돼!
부품마다 다르기 때문에,
비닝(Binning)으로 등급 나눔.오버클로킹은 속도 향상이 가능하지만, 위험 부담도 있음.
일반적인 논리 회로 설계 오류는 최댓값이나 최솟값을 사용하지 않고 전형적인 값을 사용하기 때문에 생겨
3️⃣ 기억 장치의 출발점: 래치(Latch)
⏳ 컴퓨터는 어떻게 '기억'을 할까?
우리가 “기억하는 회로”를 만들기 위해 어떤 식으로 발전해왔는지, OR 게이트 래치 → AND-OR 래치 → S-R 래치 순서
🧩 1) ‘기억’이 필요해! 순차 논리의 등장
앞에서 우리가 조합 논리를 배웠잖아? 그런데 조합 논리는 딱 하나만 알아 — 현재의 입력 → 현재의 출력 즉, “과거에 뭐였는지?”는 전혀 기억 못 해.
“1부터 100까지 더하라”고 하면? 내가 지금 어디까지 더했는지를 기억 못 하면 안 되겠지?
그래서 등장한 게 순차 논리야!
순차 논리는 현재 입력 + 과거 상태(메모리)까지 고려해서 출력을 결정해!
그리고 이걸 구현하려면 컴퓨터가 시간의 흐름을 알 수 있어야 해.
🔁 2) 시간을 만드는 회로: 발진자 & 클록
🌀 인버터 되먹임 회로 (기초 발진자)
인버터 출력 → 다시 자기 입력으로 연결!
계속 0 → 1 → 0 → 1 반복 → 진동 발생!
마치 마이크랑 스피커를 가까이 두면 “삐-” 하고 울리는 것처럼 피드백 현상이 생기는 거야!
📌 이걸 발진자(oscillator)라고 해.
출력 신호가 일정하게 반복되니까 시간의 기준으로 쓸 수 있어.
🧭 좀 더 정확한 시간? → 크리스털 발진자!
인버터 발진자는 온도, 전기적 조건에 따라 흔들릴 수 있어.
그래서 쓰는 게 크리스털(석영) 발진자!
압전 효과를 이용해 매우 일정한 주기로 진동해줘.
컴퓨터 안에서 이 발진자가 클록(clock) 신호를 생성함.
이 클록이 “하나, 둘, 셋!” 하고 컴퓨터 회로가 동기화돼서 움직이도록 도와주는 리듬감인 거야! 🥁
💾 3) 기억 장치의 출발점: 래치(Latch)
이제 시간을 표현할 수 있게 되었으니, "정보를 기억하는 회로”를 만들 차례야.
📍 OR 게이트 래치 (OR Latch)
구조
OR 게이트 출력 → 다시 입력으로 연결하는 되먹임(Feedback) 구조
OR 게이트의 출력을 입력에 묶는 방식의
되먹임을 사용하면 정보를 기억할 수 있음
이 회로는 값을 반전시키지 않기 때문에 발진자에서 본 회로와 달리 진동을 만들어내지는 않아.
동작 방식
in = 1이면 출력도 1이 되고, 이 출력이 다시 입력으로 들어가면서 출력이 계속 1로 유지돼그 후에
in = 0이 되어도 출력은 바뀌지 않아 → 즉, 상태를 “기억”하는 구조!OR 게이트 회로 out이 0부터 시작한다고 가정함
in이 1이 되면 out도 1이 됨
출력이 게이트의 (in이 아닌 다른 쪽) 입력에 연결되어 있기 때문에 이제부터는 out이 1로 유지됨
in이 0이 돼도 출력은 그대로 1로 유지됨
결론: 이 회로는 자신의 과거 상태를 기억한다
📌 문제점: 한 번 1이 되면 다시 0으로 만들 방법이 없음!
📍 AND-OR 게이트 래치 (AND-OR Latch)
이제 OR 래치에 초기화 기능(reset)을 추가해보자!
⚙️ 주요 요소 정리
reset‾: 이름에 "바"가 붙은 건, 0일 때 작동(Active Low) 한다는 뜻이야.
reset = NOT(reset‾): 이건 인버터를 거친 값이야. 즉, reset‾이 0이면 reset은 1이 돼.
AND 게이트: 두 입력이 모두 1일 때만 출력이 1이야.
OR 게이트: 하나라도 1이면 출력이 1이야.
feedback: 이전 출력(out)을 AND 게이트에 되돌려주는 입력이야.
구조
AND와 OR 게이트로 구성
Set 입력과 Reset 입력이 따로 존재
인버터가 연결되어 있는 Reset 입력이 핵심!
동작 방식
Set 신호가 1이면 → 출력은 1로 세팅됨
Reset 신호가 1이면 → 인버터 통해 0으로 강제로 초기화됨
⛓️ 어떻게 동작하냐면?
1) 기본 상태 – 기억 유지
reset‾ = 1(즉, reset 기능은 꺼짐)OR 게이트는:
"set"에서 오는 AND 게이트 출력
이전 출력값(feedback)
→ 즉, 예전 값이 유지돼! (= 래치처럼 작동)
2) reset 작동시킴!
reset‾ = 0(이제 reset을 하겠다는 의미!)이 값은 OR 게이트의 입력으로 들어가고,
OR 게이트는 0 + feedback = feedback 이니까 변화 없어 보이지만…
이 신호는 강제로 OR 게이트 출력을 0으로 만들고, 되먹임을 끊어버리는 역할을 해.
➡ 결국 출력이 0으로 리셋되면서 '기억'을 초기화하는 거야!
"reset 바"는 뭐야?
reset위에 선이 그어져 있으면 "reset 바(reset‾)" 라고 읽어.
Reset이 1일 때 아무것도 안 했던 " 왜냐하면 이 회로는 액티브 로우 방식이라서...
Reset이 0일 때만 리셋 동작이 발생해! → Q가 0으로 초기화됨
Reset이 1일 때는 → “지금은 리셋 안 해~” 하고 넘어가는 거야
✨ 한 줄 요약!
reset 바는 0일 때 작동하는 "반전 신호"
AND-OR 래치는 기본적으로 OR 되먹임 구조인데,
reset 바가 0이 되면 되먹임이 깨지고 out이 0으로 리셋됨!
💡 이 회로는 간단하지만, 아직은 비대칭적이야. Set과 Reset 신호 처리 속도가 다를 수 있음.
📍 S-R 래치 (Set-Reset Latch)
이제 대칭적이고 안정적인 래치 회로로 발전시켜 보자!
구조
NAND 게이트 2개로 구성된 래치
입력: Set(S), Reset(R)
출력: Q, 그리고 보수 출력 Q̅ (즉, Q가 1이면 Q̅는 0)
진리표
0
1
1
Set (설정)
1
0
0
Reset (초기화)
1
1
유지
이전 상태 유지
0
0
❌ 불안정
사용 금지!
S = 0, R = 0은 “동시에 설정도 하고 리셋도 해라”는 거라서 회로가 헷갈려. 절대 쓰면 안 돼!
장점
대칭적 설계로 속도 편차 적음
AND-OR 래치보다 더 안정적
실제 메모리 셀 구조의 기본 단위로 많이 사용됨!
회로가 대 칭이기 때문에 set과 reset 신호의 지연 시간이 거의 비슷하다는 뜻이다.
🖼 회로 이미지 모음
OR 래치
기본 되먹임 구조로 상태 유지
AND-OR 래치
Set/Reset 신호가 따로 있는 개선형
S-R 래치
실용적인 대칭 구조, NAND 기반
🔚 정리 한마디!
조합 논리만으로는 기억이 안 돼!
그래서 순차 논리를 도입해서 시간 흐름과 상태 기억 가능!
시간을 표현하는 회로는 발진자 (→ 클록 신호 생성)
기억을 만드는 회로는 래치(Latch) — OR → AND-OR → S-R 순서로 발전!
S-R 래치는 1비트를 기억하는 가장 기초적인 메모리 구조
4️⃣ 게이트가 있는 래치 – 기억을 "언제" 할 것인가?
🔁 먼저 복습! S-R 래치가 뭐였더라?
S-R 래치는 1비트를 기억하는 아주 기본적인 회로야.
입력에 set과 reset 신호를 넣어서 출력을 1로 만들거나 0으로 만들 수 있어.
그래서 정보를 기억할 수 있었지.
단점은?
set/reset 신호가 동시에 들어오면 출력이 이상해져!
그리고 언제 기억할지
타이밍을 제어하는 장치가 없어.
⏰ 그래서 등장하는 게이트(Gate)!
S-R 래치에 게이트 신호 하나를 추가해봤어. 이 회로는 “게이트가 열려 있을 때만 기억해!” 라는 개념을 가진 래치가 되는 거야.
우리가 말을 듣는다고 항상 기억하진 않잖아? “지금 집중해!” 라고 누가 말해야 비로소 기억하려고 하지. 이 회로에서도
게이트(Gate)가 그런 역할을 해주는 거야!
🧱 게이트가 있는 S-R 래치 구조
회로에 gate 입력이 추가되어 있어.
gate가 거짓(하이 1)일 땐 아무 것도 기억하지 않아. 그냥 상태 유지.
gate가 참(로우 0)일 때만 set/reset 신호에 따라 동작해!
🔄 그런데 아직도 불편해!
여전히 set/reset을 따로 넣어줘야 하고,
실수로 둘 다 눌리면 회로가 망가질 수 있어.
이걸 더 단순화하려면? → 입력을 하나로 줄이자!
📌 D 래치(D Latch)의 등장
D 래치란?
D 래치(D Latch) 회로에서는 "gate 신호"가 0일 때 활성화되는 구조야. 즉, 이 회로는 "액티브 로우(Active Low)" 방식으로 동작해!
S-R 래치에 게이트도 붙이고,
입력을 하나(D)로 합쳐서 아주 쓰기 편하게 만든 래치야!
💡 정리해서 말하면:
gate 값
의미
동작
0 (로우)
🔓 게이트가 열림 → 활성화됨
D 값을 Q에 전달 → 기억됨
1 (하이)
🔒 게이트가 닫힘 → 비활성화
Q는 그 상태 그대로 유지 (D가 바뀌어도 영향 없음)
🎯 예시로 한 번 볼까?
어떻게 만들었냐면?
set엔 D 신호 그대로,
reset엔 D의 반대(!D)를 넣어주는 거야. → 이렇게 하면 둘이 동시에 1이 될 일은 없겠지?
🎯 D 래치의 동작 원리
타이밍 신호가 중요해!
타이밍 다이어그램을 보면 이렇게 돼 👇
gate가 열릴 때(D 래치 활성화): D 값을 Q에 전달해. 기억되는 순간!
gate가 닫힐 때(D 래치 비활성화): Q 값은 그 순간의 D를 그대로 기억하고 유지해.
즉, gate가 열리는 순간에만 D를 받아들이고 그 외에는 그냥 조용히 기존 값을 유지하는 거야.
😰 하지만 아직 한 가지 아쉬운 점
게이트가 열려 있는 동안(D 래치 활성)에 D가 바뀌면? → Q도 계속 따라 바뀌어버려.
그래서 D가 “게이트가 열려 있는 동안 얌전히 있으라”고 마치 말 잘 듣는 아이이길 바라는 수밖에 없어 😂
🧩 그래서 다음 단계는?
바로 플립플롭(flip-flop)이야!
게이트가 열리는 "찰나의 순간"에만 D를 받아들이고,
그 외에는 철저하게 닫아버리는 똑똑한 기억 회로지.
5️⃣ 플립플롭
🧠 D 플립플롭: 컴퓨터의 '1비트 기억 장치'
D 플립플롭은 우리가 1비트를 기억하려고 할 때 사용하는 순차 논리 회로야. 쉽게 말해서, 특정 시점에 입력값 D를 저장해서 나중에도 계속 유지할 수 있게 도와주는 회로지.
🔄 1) 플립플롭은 왜 필요할까?
우리가 앞에서 봤던 D 래치는, 게이트(Gate)가 열려 있는 동안에는 D가 변하면 Q도 따라 바뀌는 구조였어. 그래서 약간 위험했지.
예: 게이트가 열려있는데 D가 자꾸 바뀌면? → Q도 흔들리게 돼! 😱
우리는 “딱 이 순간에만 기억해줘!”라는 정확한 타이밍이 필요해.
그래서 등장하는 게 바로 플립플롭이야!
⏱️ 2) 플립플롭의 핵심: "에지(Edge)에서만 저장!"
클럭이 변할 때 D의 값이 저장한다. 에지에 의해 데이터 변화가 촉발된다는 플립플롭의 정의
플립플롭은 게이트가 열린 동안이 아니라, 클록 신호가 0에서 1로 바뀌는 그 찰나에만 D 값을 저장해.
이걸 “양의 에지(Positive Edge)에서 트리거된다”고 말해.
만약 1에서 0으로 바뀌는 시점에 저장되면, 그건 음의 에지 트리거(Negative Edge-Triggered)라고 해.
쉽게 말해: "지금이다!" 하는 찰나에 D 값을 보고 그걸 기억하는 거야.
D라는 입력값은 회로에 저장하고 싶은 데이터를 의미해
그리고 클록이 0에서 1로 변하는 순간이 바로 이 D라는 입력값을 회로에 저장하라는 신호야,
이러한 신호를 우리는 에지(edge)라고 부르며, 이것이 바로 위에서 우리가 희망하던 회로에 데이터를 저장하라고 명령을 내리는 입력값이라고 볼 수 있어.
특히 D 플립플롭은
양의 에지에 의해 변화가 촉발된다고 하였는데, 그 의미가 바로 클록이 0에서 1로 변화할 때 D의 값을 저장한다는 의미이다. 만약 클록이 1에서 0으로 변할 때 변화가 촉발될 경우 음의 에지에 의해 변화가 촉발(negative edge-triggered)된다고 정의되었을 것이다.
⚙️ 3) 내부 회로는 어떻게 생겼을까?
플립플롭 내부는 사실 꽤 정교해!
3개의 S-R 래치가 단계적으로 연결돼 있고,
D와 Clock 값을 받아서
어떤 조건일 때만 Q 값을 바꿔줘.
그림을 보면 클록이 0일 땐 아무 일도 안 일어나. D를 아무리 바꿔도 Q는 그대로야. 하지만 클록이 0 → 1로 올라가는 순간! 그 순간의 D 값을 잡아서 기억하고 Q에 출력해주는 거지.
🔐 4) 클록 에지 시점에 D는 고정돼 있어야 한다!
여기서 진짜 중요한 포인트가 있어! 클록이 0 → 1로 올라갈 때, D 값을 잡아야 하잖아?
그런데 그 찰나의 순간에 D가 흔들리면? → 어떤 값을 저장해야 할지 애매해져 😵
그래서 D는 클록이 바뀌기 "조금 전부터", 바뀌고 "조금 뒤까지"는 안정적이어야 해.
이걸 셋업 타임(Setup Time)과 홀드 타임(Hold Time)이라고 불러:
셋업 타임: 클록이 변하기 전, D가 고정돼 있어야 하는 시간
홀드 타임: 클록이 변한 후, D가 계속 고정돼 있어야 하는 시간
이 시간을 지키지 않으면 → 회로가 잘못된 데이터를 저장하거나, 오작동할 수 있어.
마치 누군가가 “말해!”라고 했을 때 이미 입을 다물고 있으면 못 듣고, 너무 늦게 말해도 못 듣는 거랑 같아.
💾 5) 클록이 '고정된 상태'일 땐? D 바뀌어도 상관없어!
그림처럼 클록이 그냥 0이거나 1인 상태에서는 D 값을 아무리 바꿔도 Q엔 전혀 영향이 없어. 즉, 저장이 일어나지 않아.
저장하려면 꼭 “클록의 에지(전이)”가 필요해!
🧱 정리해보자!
플립플롭
1비트를 저장하는 기억 회로
D 플립플롭
D 값을 클록 에지에서 저장
양의 에지 트리거
클록이 0 → 1 되는 순간에만 D를 기억
셋업 타임
클록 바뀌기 전에 D가 고정돼야 하는 시간
홀드 타임
클록 바뀐 후에도 D가 고정돼야 하는 시간
클록이 일정할 땐
D가 바뀌어도 아무 영향 없음
플립플롭은 말 그대로 “딱 정해진 순간”에 데이터를 기억해.
그래서 시계처럼 동기화된 컴퓨터 회로를 만들 수 있는 핵심 기술이야.
실제 CPU의 레지스터나 메모리 셀을 구현할 때 꼭 들어가는 친구지!
6️⃣ 카운터
카운터는 말 그대로 신호의 개수를 세는 회로야. 예를 들어 컴퓨터가 시간을 계산하려면 "틱, 틱, 틱…" 하고 계속 올라가는 숫자가 필요하잖아? 이 숫자를 만들어주는 게 바로 카운터야.
플립플롭을 응용한 회로
🔁 리플 카운터 (Ripple Counter)
동작 방식
하나의 플립플롭이 상태가 바뀌면, 그 출력이 다음 플립플롭의 클록 입력으로 들어가!
각 플립플롭은 자신의 CK 신호가 0에서 1로 전이될 때마다 상태가 바뀜
그래서 마치 도미노처럼 ripple(물결)이 퍼져나가는 구조야.
특징
구조가 간단하고 구현이 쉬움
전파 지연(delay)이 발생해서, 각 비트의 출력이 조금씩 시차를 두고 바뀜
비동기 카운터asynchronous counter라고도 부른다
빠른 연산에는 적합하지 않아
예시: 디지털 시계처럼 ‘순서대로 셀’ 필요가 있을 때 적절
⏱️ 동기 카운터 (Synchronous Counter)
동작 방식
모든 플립플롭이 같은 클록을 동시에 받아! → 하나의 박자에 맞춰 동시에 상태가 바뀌는 구조
출력이 어느 시점에 올바른지 알려면 전파 지연을 여전 히 고려 필요
플립플롭을 연속적으로 연결해서 생기는 문제는 없어져
특징
전파 지연이 거의 없음 → 정확하고 빠름
회로가 조금 더 복잡하지만, 고속 시스템에 적합
예시: 고속 연산, 정밀 타이밍 제어가 필요한 컴퓨터 회로
📊 타이밍 관점에서 차이점
클록 입력
비트마다 다름 (연쇄적)
모든 플립플롭이 동시에
전파 지연
존재함 (점점 누적)
거의 없음
속도
느림
빠름
회로 구성
단순
복잡
사용 예
단순 시계, 간단한 수 카운팅
CPU 내부, 고속 메모리 주소 계산
이제 우리는 플립플롭으로 1비트를 기억할 수 있을 뿐 아니라, 여러 개의 플립플롭을 연결해서
시간의 흐름(숫자)도 만들 수 있게 된 거야! 이게 바로 기억 + 흐름, 즉 순차 논리의 진짜 힘이야. 💪
다음은 이 카운터를 더 발전시켜서 더 많은 데이터를 저장하는 레지스터와 메모리
7️⃣ 레지스터
🧠 D 플립플롭이 모이면? 바로 레지스터!
D 플립플롭이 기억하는 1비트
앞에서 배운 것처럼 D 플립플롭은 클록 신호가 들어올 때 D의 값을 Q에 저장해.
이걸 이용해서 1비트를 기억할 수 있었지!
그럼 이제, "1비트 말고 여러 비트를 한 번에 기억하려면 어떻게 하지?”
바로 여러 개의 D 플립플롭을 나란히 붙이면 돼!
이렇게 만든 회로를 레지스터(Register)라고 불러.
🧱 레지스터란?
📦 정의
레지스터는 여러 개의 D 플립플롭이 나란히 묶인 기억 장치
일반적으로 클록을 공유하면서 동시에 여러 비트를 저장함
📥 하는 일
주로 계산 결과나 입력값을 잠깐 보관할 때 사용돼.
CPU 안에서도, ALU의 결과를 잠깐 보관하거나, 다음 연산에 사용할 중간값 저장 등에 활용돼!
➕ 레지스터로 가산기 결과 저장하기 (예제)
🔧 그림 3-18 설명
위 회로는 가산기의 출력 결과를 D 플립플롭으로 구성된 레지스터에 저장하는 예시야!
D0~D7는 가산기에서 나온 8비트 결과고, 각각을 Q0~Q7 레지스터에 저장하고 있어.
클록이 들어오면 한 번에 딱! 8비트 전체가 기억돼.
🎯 핵심 동작
가산기는 피연산자1과 피연산자2를 받아서 결과를 만들어냄
이 결과가 D 입력 라인을 통해 레지스터로 들어감
클록이 ‘똑’ 하고 울리는 순간, D의 값이 Q에 저장됨
피연산자를 바꿔도, 레지스터 안의 Q는 그 순간 저장된 결과를 계속 유지함
🧩 Enable 입력이란?
어떤 레지스터에는
EN (Enable)이라는 제어 신호도 있어EN이 참일 때만 레지스터가 값을 저장함 → 클록이 와도 EN이 꺼져 있으면 값은 무시되고, 저장 안 돼!
📌 왜 필요할까?
모든 클록 주기마다 저장하면 필요 없는 연산 결과도 저장될 수 있음 → 그래서 꼭 필요한 순간에만 저장되도록 Enable 신호로 제어하는 거야!
📌 요약
D 플립플롭
1비트 기억 장치
레지스터
여러 D 플립플롭이 모인 회로 (여러 비트를 기억)
클록
기억하는 타이밍을 정함
Enable
저장 여부를 제어함 (조건부 저장)
이제 우리는 비트를 기억하는 플립플롭, 그걸 모아 다비트를 기억하는 레지스터, 연산 결과를 저장하는 구조까지 이해했어!
이 레지스터들이 모이면 어떻게 더 큰 기억 장치, 즉 메모리가 됨
3. 메모리 조직과 주소 지정
🧠 컴퓨터는 어떻게 '기억'을 확장할까?
앞에서는 D 플립플롭으로 1비트를 기억하고, 여러 개를 묶은 레지스터로 여러 비트를 기억하는 걸 배웠어. 그런데 만약 우리가 수많은 계산 결과를 기억하고 싶다면? 단순히 레지스터만 쌓아서는 안 되겠지.
이제부터는 본격적인 메모리 회로(memory circuit) 이야기를 해보자.
📦 1) 레지스터를 많이 쓰면 생기는 문제
"여러 개의 레지스터를 만들면 되지 않나?" 라고 생각할 수 있지만, 문제는...
어떤 레지스터에 저장할지, 어떤 레지스터에서 읽어올지 구분하는 게 어려워.
예를 들어, 아래 그림처럼 여러 레지스터가 있다고 해보자:
이 중에서 지금 사용할 레지스터를 골라야 하잖아?
이럴 때 필요한 게 바로 주소(address)!
각 레지스터에 번호(주소)를 붙여주고, 이 주소에 따라 회로가 동작하도록 하면 돼.
🔡 2) 디코더와 실렉터의 역할
이제 우리가 기억한 내용을 잘 써먹어야 할 때야!
주소를 받아서 해당 레지스터 하나만 "선택"하는 역할 → 디코더
여러 레지스터 중 출력값을 선택해서 외부로 내보내는 역할 → 실렉터
디코더와 실렉터를 조합하면, 우리가 지정한 레지스터에만 데이터를 쓰고, 또 거기서만 읽어올 수 있어!
📌 메모리에서는 디코더와 실렉터가 핵심 구성 요소야.
⚙️ 3) 메모리 회로의 구성
시스템에서 여러 메모리 컴포넌트의 출력을 한 출력으로 연결해야 할 수도 있어. 이런 경우
트라 이스테이트 출력이라는 또 다른 기본 요소가 필요해.
기억 저장을 위한 메모리 회로는 다음과 같이 생겼어:
디코더: 주소에 해당하는 레지스터를 선택
레지스터: 선택된 곳에 값을 저장하거나 불러옴
실렉터: 여러 레지스터 중 필요한 값만 출력
그리고 여기에 제어 신호들이 더해져:
쓰기 활성화(write enable): 데이터를 쓸지 말지
읽기 활성화(read enable): 데이터를 읽을지 말지
🔌 4) 실제 메모리 칩의 구조
주소address와 데이터data에는 개별 신호 대신 큰 화살표를 사용한 것 ⇒ 연관된 신호를 버스bus
현실에서 메모리 회로는 훨씬 복잡해져(연결지점이 많고.. 32비트를 다루고 싶으면 입출력 32개씩 연결) 그걸 단순화한 게 바로 메모리 칩이야!
메모리를 동시에 읽고 쓸 필요가 있는 경우는 거의 없다는 사실을 활용해 연결을 줄였어.
입력과 출력 데이터 연결을 합치고 read/write 제어 신호 를 사용하면 연결을 많이 줄일 수 있어!
데이터를 저장하는
레지스터들이 내부에 있고,주소와 데이터를 전달하는
버스(bus)를 통해 신호가 주고받아져.
🚌 "버스"는 여러 비트의 데이터를 한꺼번에 실어 나르는 대량 교통 수단이야!
버스 종류:
주소 버스(address bus): 어떤 레지스터를 사용할지 지정
데이터 버스(data bus): 실제 데이터를 주고받음
🧮 5) 메모리의 주소 지정 - 행과 열로 나누기
메모리 크기가 커지면, 필요한 주소 선도 많아져. 예: 4GiB 메모리 → 32비트 주소 필요
이 문제를 해결하기 위해 행(row)과 열(column)로 주소를 나눠서 처리해. 마치 격자처럼!
행 주소 → 디코더 → 행 선택
열 주소 → 디코더 → 열 선택
📌 이걸 멀티플렉싱이라고 해. → 주소 라인의 개수를 절반으로 줄일 수 있어!
단, 이렇게 하려면 행 주소와 열 주소를 따로 보관할 레지스터가 필요해.
주소가 두 부분으로 나뉘어 들어오기 때문에, 한 번에 한 부분씩만 변경할 수 있다면 성능이 더 좋아질 수 있어
예를 들어 행 주소를 먼저 지정하고, 열 주소만 변화시키면 좀 더 빨리 처리
오늘날 사용 중인 대형 메모리 칩에서는 이런 식으로 주소를 처리
🧰 6) 메모리 칩 기호와 입력 설명
복잡한 회로를 간단히 나타내기 위해 스키매틱 기호를 사용해. 메모리 칩의 기본 입력은 다음과 같아:
주소(address): 저장 위치를 지정
read/write: 읽기 or 쓰기 모드 설정
enable: 메모리를 사용할지 여부
데이터(data): 저장하거나 읽어오는 실제 정보
📏 7) 메모리의 크기 표기법
메모리는 보통 깊이 × 너비로 표기해.
예:
256 × 8→ 256개 셀, 각 셀마다 8비트 저장 가능예:
64Mib × 1→ 64메가비트 크기, 한 번에 1비트 저장
✨ 정리!
레지스터만으론 부족하다 → 그래서 주소를 부여해 선택하는 구조가 필요
디코더, 실렉터, enable 신호 등을 조합해서 메모리 회로를 구성
회로가 커질수록 버스와 멀티플렉싱 기술이 중요해짐
메모리도 결국 플립플롭의 확장판! 단지 좀 더 체계적으로 설계된 거야
1️⃣ 임의 접근 메모리(RAM) : 컴퓨터의 기억 저장소, RAM의 세계
🧠 우리가 지금까지 만든 건 ‘기억 장치’야
앞에서 배운 래치, 플립플롭, 그리고 레지스터들을 조합하면 컴퓨터는 비트를 저장하고 꺼내 쓸 수 있는 ‘메모리’를 만들 수 있어.
근데 여기서 질문!
비트를 몇 개만 저장하면 충분할까?
당연히 아니지. 컴퓨터는 수십억 개의 비트를 저장하고 빠르게 꺼내 써야 해. 그래서 우리는 ‘RAM’이라는 더 강력한 기억 장치를 만들게 돼.
💡 RAM이란?
RAM(Random Access Memory) = 임의 접근 메모리
‘임의 접근’이란 말은 → 메모리 위치에 관계없이 원하는 곳에 바로 접근 가능하다는 뜻이야.
메모리 주소만 알면, 순서 상관없이 언제든 읽고 쓸 수 있어!
⚙️ RAM의 종류는 크게 두 가지!
1) 📦 SRAM (Static RAM)
구조: 하나의 비트를 저장하기 위해 6개의 트랜지스터를 사용해!
속도: 정말 빠르다! 클록 속도에 바로 반응할 수 있을 정도.
전원이 공급되는 한 저장된 데이터가 유지되기 때문에 D램(DRAM)과 달리 리프레시가 필요하지 않음
장점: 읽기/쓰기가 빠르고 안정적이야.
단점: 공간 많이 차지함 + 비쌈
그래픽카드 등 주로 소용량의 메모리로 사용
그래서 SRAM은 CPU 안의 캐시 메모리처럼 작지만 빠른 메모리가 필요한 곳에서 사용돼.
2) 💧 DRAM (Dynamic RAM)
구조: 1개의 트랜지스터 + 1개의 커패시터(콘덴서) → 아주 작은 전기 ‘버킷’에 전자를 담는 방식!
장점: 공간 절약 → 고용량 메모리 구현 가능! (집적도 짱!)
단점: 이 ‘버킷’은 시간이 지나면 샌다(방전됨) → 주기적으로 새로 충전(=리프레시)해줘야 해
그래서 (이미 비트가 들어 있는) 버킷에 전자를 채우는 시점과 버킷에 정보를 쓰는 시간 이 서로 겹치지 않게 조심!
그래서 DRAM은 메인 메모리(우리가 흔히 말하는 RAM)로 쓰이고 있어.
📸 잠깐, DRAM에는 이런 부작용도 있어!
빛을 비추면 버킷이 더 빨리 샐 수 있어. → 이 현상을 활용한 게 디지털 카메라 센서야. → 센서가 빛의 영향을 받아서 전하 변화 = 이미지로 저장됨!
📌 SRAM vs DRAM 한눈에 비교
구성
6개 트랜지스터
1개 트랜지스터 + 1개 커패시터
속도
빠름
느림
집적도
낮음 (덜 저장됨)
높음 (많이 저장됨)
가격
비쌈
저렴
쓰임
CPU 캐시
메인 메모리 (RAM)
방식
주소 멀티플렉싱 방식
휘발여부
휘발성 메모리
휘발성 메모리
🧲 비휘발성 메모리: 코어 메모리
예전에는 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 메모리가 있었어. 바로 코어 메모리(core memory)!
도넛 모양의 자석(토러스)에 자화 방향으로 비트를 저장해
읽으려면 자화 상태를 바꾸고, 그 반응을 감지해야 해
읽으면 원래 상태가 파괴되므로 → 다시 기록해야 함 (읽기=파괴적 읽기)
비휘발성이지만, 너무 복잡하고 크기 때문에 지금은 안 써. 하지만 여전히 이 개념은 현대 메모리 기술의 밑바탕이야.
🌐 DRAM 내부 구조도 생각보다 정교해
행(Row)과 열(Column)로 주소를 나눠서 → 메모리를 격자처럼 관리해
행 주소 스트로브를 사용해 행 주소를 저장하는 속도가 열 주소 스트로브로 열 주소를 변경하는 것보다 더 빠르다.
행을 페이지page라고 부르기도 해.
마치 책에 서는 페이지를 넘기는 속도보다 한 페이지 안에서 각 줄을 건너뛰는 게 더 빠른 것과 비슷
주소 라인을 줄이기 위해 주소 멀티플렉싱(Multiplexing) 기법을 써
그래서 DRAM 안에는 행 레지스터와 열 레지스터도 있음!
이 방식은 성능 향상에도 도움이 돼.
왜냐하면 행은 그대로 두고 열만 바꾸면 더 빠르게 데이터를 꺼낼 수 있으니까!
🌐 동작방식
DRAM에서는 데이터를 읽을 때 이렇게 동작해:
먼저 "행 주소"를 설정하고 → 전체 행을 메모리로 복사해온다 이걸 **행 주소 스트로브(RAS)**라고 불러. → 약간 느리지만 한 번에 한 페이지를 준비하는 느낌이야.
그다음, 열 주소 스트로브(CAS)를 통해 행 안의 ‘특정 열’에서 데이터를 뽑아오는 거야. → 이건 페이지 안에서 "몇 번째 줄"을 선택하는 느낌. 빠르지!
📙 이 모든 걸 정리하면?
RAM은 데이터를 빠르게 읽고 쓰는 임시 기억 장치야.
SRAM은 빠르고 비싸고 공간 차지 많음 → CPU 캐시에 사용.
DRAM은 느리지만 작고 싸고 대용량 저장 가능 → 메인 메모리에 사용.
DRAM 내부는 격자 구조 + 행/열 멀티플렉싱으로 효율을 극대화함.
예전에는 코어 메모리도 있었고, 지금은 비휘발성 메모리에 대한 연구도 계속돼!
2️⃣ 읽기 전용 메모리, ROM의 모든 것
1) ROM은 진짜 '읽기 전용'일까?
먼저 이름부터 짚고 넘어가자. ROM이라는 말, 즉 Read-Only Memory(읽기 전용 메모리)는 사실 조금 과장된 이름이야.
“읽기만 되고 쓰기는 안 되는 메모리? 그럼 아무 쓸모가 없잖아?”
맞아. 그래서 실제로는 이렇게 말하는 게 더 정확해:
“한 번만 쓸 수 있는 메모리” → 그게 바로 진짜 ROM의 개념이야.
즉, 데이터를 한 번 저장하면, 그 이후에는 여러 번 읽을 수만 있고 다시 쓸 수는 없어.
2) ROM이 필요한 이유
생각해봐. 매번 전자레인지에 코드를 새로 입력해야 한다면 얼마나 귀찮을까? ROM은 이런 장치의 프로그램을 '영구히' 저장하는 데 딱이야!
3) ROM의 시작은… 종이에 뚫린 '구멍'?
ROM의 가장 초창기 형태는 구멍 뚫린 카드였어.
우리가 컴퓨터라고 생각하지도 않을 시절, IBM에서 천공 카드(Hollerith Card)를 썼지.
카드를 기계에 넣으면 구멍의 위치가 비트 값을 나타냈어.
처음엔 금속 접촉 방식, 나중엔 빛 + 광센서로 더 빨리 읽게 됐지.
이 아이디어는 사실 1700년대 방직기에서도 사용됐던 기술이야. 즉, ROM의 시작은 직물 디자인에서 온 셈이야!
4) 카드보다 나은 게 필요했다: 천공 테이프
IBM 카드가 순서에 민감하고 엉키기 쉬워서 나온 게 천공 테이프였어.
구멍 뚫린 종이 테이프.
순서가 섞일 일은 없지만, 찢어지면 끝장이었지.
비트를 읽으려면 카드와 테이프를 물리적으로 움직여야 했기 때문에 카드와 테이프는 아주 느 렸어
5) 우주에서는 어떤 ROM을 썼을까? – 코어 로프 메모리
아폴로호에는 코어 로프 메모리라는 진짜 특이한 ROM이 쓰였어.
바느질로 비트를 기록했대!
전자기 간섭에 강해서 우주 환경에 적합했지.
6) ROM은 왜 느릴까? – 순차적 메모리의 한계
카드와 테이프, 로프 메모리 모두 순차적 메모리야.
데이터를 앞에서부터 하나하나 순서대로만 읽을 수 있었어.
그래서 실제 프로그램 실행을 하려면 항상 RAM으로 옮겨야 했지.
7) 마이크로프로세서 등장, ROM의 진화
1971년, 인텔 4004라는 첫 마이크로프로세서가 등장하면서 "ROM도 좀 빠르게, 유연하게 만들자!"는 수요가 생겼어.
그래서 점점 진화하게 돼:
🧱 ROM의 진화 단계
1. 마스크 ROM (Mask ROM)
마스크 프로그래머블mask-programmable ROM
마스크mask는 집적 회 로 생산 과정에서 사용하는 공판화stencil를 뜻
반도체 업체에 돈 주고 영구적인 회로를 새겨달라는 방식.
비트 패턴을 마스크로 바 꿔서 여러분의 프로그램이 들어 있는 칩을 만들어서 돌려줘
정말 바꿀 수 없어서, 만들 때부터 완벽해야 해.
비용이 크니까 칩이 많을 때만 사용 가능
임의 접근이 가능해(아무 주소나 원하는 대로 읽을 수 있음).
2. PROM (Programmable ROM)
프로그래머블 읽기 전용 메모리
사용자가 한 번은 직접 쓸 수 있어!
내부에 퓨즈가 있고, 프로그래밍할 땐 은 칩에 있는 니크롬nichrome(니켈-크롬 합금) 퓨즈를 ‘끊어서’ 데이터를 저장해.
문제는… 한 번 쓰면 끝이라는 거.
프로그램을 개발하는 과정에서 (프로그램의 오류 등으로 버려진) PROM이 산처럼 쌓이기 쉬웠음
3. EPROM (Erasable PROM)
지울 수 있는 읽기 전용 메모리EPROM, erasable programmable ROM
수정 가능한 PROM!
자외선을 쬐면 내부 데이터를 지울 수 있어.
그래서 칩에 보면 작은 창문 같은 게 있었어.
4. EEPROM (Electrically Erasable PROM)
전기로도 지울 수 있음!
자외선 안 써도 돼. 너무 편해졌지.
단점은… 쓰기 속도가 느림 → 그래서 아직도 'ROM'이라고 불려.
✨ 정리하면!
1
Mask ROM
❌ (제조 단계에서만)
❌
대량 생산용
2
PROM
✅ (1번만)
❌
퓨즈로 저장
3
EPROM
✅
✅ (자외선)
수정창 있음
4
EEPROM
✅
✅ (전기)
가장 편하지만 느림
💡 한 마디로!
ROM은 '읽기 전용'이라기보다 '자주 안 바꾸는 프로그램을 한 번만(혹은 드물게) 써두는 메모리'야.
EEPROM은 내부 데이터를 아무 순서로나 쓰고 읽을 수 있기 때문에 기술적으로는 RAM
이야.
하지만 데이터를 쓰는 데 시간이 오래 걸리고 RAM보다 비싸기 때문에 ROM을 대신하는 목적으로 쓰인다
🔋 ROM은 왜 비휘발성이야?
ROM(Read-Only Memory)은 비휘발성 메모리야.
즉, 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 저장장치지.
ROM(Read-Only Memory)은 비휘발성 메모리야.
즉, 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 저장장치지.RAM(휘발성)은 전원이 꺼지면 메모리 내용이 날아가.
반면 ROM은 내부 회로나 저장 방식 자체가 전기를 끊어도 정보가 유지되도록 설계되어 있어.
📌 다시 한 번 기억해두자면:
RAM (휘발성)
빠르고 읽고/쓰기 가능
❌ 데이터 사라짐
ROM (비휘발성)
보통 한 번만 쓰고 여러 번 읽음
✅ 데이터 유지
즉, ROM은 한 번 쓰고 여러 번 읽을 수 있게 만든 비휘발성 메모리고, 전자레인지나 세탁기 같은 임베디드 시스템에 많이 들어가!
4. 블록 장치
💽 컴퓨터의 장기 기억장치 – 디스크와 저장소 이야기
컴퓨터에서 자주 듣는 디스크 드라이브가 도대체 어떻게 동작하고, 왜 RAM보다 느린지, 어떤 구조로 되어 있는지 알아보자.
📦 1) 메모리에도 ‘거리’ 개념이 있다?
컴퓨터가 어떤 데이터를 쓰거나 읽을 때도 “시간”이 걸려. 예를 들어,
밀가루가 필요할 때마다 매번 슈퍼마켓 가서 한 숟갈씩 사온다고 생각해봐... 😵 차라리 한 포대 사 와서 집에 두고 쓰는 게 낫겠지?
이게 바로 메모리와 저장 장치의 차이야!
RAM은 집 안에서 바로 꺼낼 수 있는 재료.
디스크 드라이브는 좀 더 먼 창고 같은 거야. → 속도는 느리지만 용량은 훨씬 크고 싸지!
🔄 2) 디스크는 어떻게 생겼을까?
디스크 드라이브의 구조는 중국집 회전판을 떠올리면 좋아!
자화된 판(platter)이 돌고,
그 위에 디스크 헤드가 원하는 위치에서 데이터를 읽거나 써.
헤드는 고정돼 있고, 회전판이 7200RPM으로 빠르게 돌아가.
그래서 데이터가 헤드 바로 밑에 오지 않으면?
기다려야 해! → 이걸 회전 지연 시간이라고 해. (약 8ms 정도 걸림)
🧭 3) 디스크는 어디에 데이터를 저장할까?
디스크는 블록 단위로 데이터를 저장하고 읽어.
예전엔 한 블록 = 512바이트였는데
요즘은 한 블록 = 4096바이트야!
그래서 딱 1바이트만 바꾸고 싶어도?
전체 블록을 읽고 → 수정하고 → 다시 써야 해 😬
🎯 4) 디스크 안의 지도: 섹터와 트랙
디스크 안은 이렇게 구성돼 있어:
트랙(track): 회전판 위의 동심원 모양 경로
섹터(sector): 트랙을 나눈 조각 → 블록 단위 저장
클러스터(cluster): 여러 섹터 묶음
방사형 영역(radial zone): 바깥쪽엔 더 많은 섹터를 저장하는 최신 기술
바깥쪽 섹터가 더 넓은데, 같은 양의 데이터만 저장하면 낭비잖아! 그래서 바깥쪽에는 더 많은 데이터를 넣게 한 거야.
⏱ 5) 디스크의 느린 이유? 탐색 + 회전 지연
디스크는 데이터를 읽기 전에 두 가지 시간이 필요해:
탐색 시간(seek time) → 헤드가 원하는 트랙으로 이동하는 시간
회전 지연(rotational latency) → 원하는 데이터가 헤드 아래 올 때까지 기다리는 시간
RAM은 이런 시간이 필요 없어! → 그래서 수십~수백 배 빠른 거야.
💾 6) 디스크의 형제들: 다양한 저장 장치들
디스크 드라이브 외에도 여러 저장 장치가 있어:
1. 플로피 디스크 (Floppy Disk)
유연한 디스크 → 그래서 ‘플로피’라고 불려
저렴하고 탈착 가능했지만 지금은 거의 사라짐
2. 자기 드럼(Magnetic Drum)
회전하는 원통에 데이터를 저장
고전적인 방식의 비휘발성 저장소
3. 자기 테이프(Magnetic Tape)
릴에 감긴 테이프에 자화해서 저장
아주 느리지만 대용량 백업용으로 아직도 사용돼
4. 광학 디스크 (CD, DVD 등)
자성 대신 ‘빛’으로 데이터 읽기/쓰기
읽기 전용(ROM), 한 번 쓰기(PROM), 재기록 가능(RW) 디스크 등 있음
✨ 한 마디로 정리하면!
디스크는 많은 데이터를 싸게 저장할 수 있는 비휘발성 장치
하지만 RAM보다 훨씬 느리다
디스크 안에는 섹터, 트랙, 클러스터라는 정교한 구조가 있고,
데이터를 읽으려면 찾아가야 하니까 시간이 더 걸리는 거야.
5. 플래시 메모리와 SSD
플래시 메모리flash memory는 가장 최근 나타난 EEPROM 유형의 매체이며, 음악 플레이어나 디지털 카메라 등의 응용에는 플래시 메모리가 적합해
1) SSD vs HDD, 뭐가 다를까?
우리가 평소에 사용하는 저장 장치는 보통 HDD(하드 디스크) 아니면 SSD(고체 상태 드라이브)야.
HDD는 내부에 회전하는 원판(platter)이 있고, 거기에 자성 물질로 데이터를 저장해.
그 위에 있는 헤드(head)가 마치 턴테이블의 바늘처럼 움직이면서 데이터를 읽고 써.
그런데 SSD는 완전히 달라!
❗ SSD는 움직이는 부품이 하나도 없어. 대신 플래시 메모리라는 반도체 기반 저장장치를 써서 데이터를 저장해!
그래서:
충격에 강하고, 조용하고, 전력도 적게 써.
읽기 속도도 훨씬 빠르지!
대신 가격이 조금 비싸고, 쓰기 수명이 제한적이라는 단점이 있어.
2) 플래시 메모리는 어떻게 작동할까?
플래시 메모리는 내부적으로 아주 작은 셀(cell)로 구성되어 있고,
각 셀 안에는 플로팅 게이트(floating gate)라는 구조가 있어.
데이터를
쓸 때(write)는 전자를 플로팅 게이트에 가둬버려.전원이 꺼져도 이 전자가 빠져나가지 않고 그대로 유지돼.
이 전하의 유무(있냐, 없냐)로 0과 1을 표현하는 거야!
🔋 즉, 플래시 메모리는 메모리인데도 비휘발성이야. 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않지!
이게 가능한 건 플로팅 게이트 구조 덕분이야. DRAM처럼 새는 구조가 아니라서!
플래시 메모리는 기본적으로 DRAM처럼 '버킷에 전자를 담는 방식'으로 동작해. 하지만 큰 차이점이 하나 있어!
DRAM의 버킷은 금방 샌다 → 그래서 수시로
갱신(refresh)해야 해.플래시 메모리는 더 튼튼한 구조라 전자가 잘 안 샘 → 비휘발성이라는 거지!
즉, 전원을 꺼도 데이터가 유지돼서 디스크로도 쓸 수 있는 거야! 💾
3) SSD는 정말 빠르기만 할까?
읽기는 아주 빠르고, 랜덤 액세스(random access) 속도도 거의 일정해.
HDD는 헤드가 이동해야 하기 때문에 어느 데이터를 읽느냐에 따라 속도가 달라.
하지만 SSD는 위치 상관없이 빠르게 읽을 수 있어!
다만, 쓰기(write)는 조금 복잡해:
데이터를 1로 바꾸는 건 쉬워.
하지만 0으로 바꾸려면 블록 전체를 먼저 지우고 다시 써야 해!
그래서 SSD는 내부 데이터를 블록 단위로 관리하고 있어.
이 때문에 쓰기 작업은 HDD보다 느려질 수 있어.
쓰기가 복잡한 이유는?
읽기는 자유롭게 할 수 있어. 하지만 쓰기는 복잡한 규칙이 있어.
❗ "0은 1로 바꿀 수 있지만, 1은 다시 0으로는 못 바꾼다!" 😮
즉, 한 번 값을 쓰면, 그걸 바꾸기 위해선 전체 블록을 통째로 지우고 다시 써야 해.
비트를 0으로 만드는 건 어렵다.
그래서 보통은 일단 전체 블록을 지우고(초기화) → 다시 쓰는 방식을 사용해.
이런 특성 때문에 플래시 메모리는:
읽을 때는 → 임의 접근 (Random Access)
쓸 때는 → 블록 접근 (Block Access)
4) 쓰기를 많이 하면 SSD는 왜 망가질까?
플래시 메모리는 ‘뚜껑이 닳는다’는 표현이 있어.
여러 번 읽고 쓰기를 반복하면, 셀의 플로팅 게이트가 물리적으로 마모돼.
그래서 블록을 너무 자주 쓰면 수명이 짧아져.
한 블록은 수천~수만 바이트를 포함해.
예를 들어, 512KB짜리 블록이 있다고 해보자.
그 안에 있는 단 하나의 바이트만 바꾸고 싶어도 → 전체 블록을 지워야 해!
📌 이게 바로 플래시 메모리가 ‘읽기는 빠른데 쓰기는 느린’ 이유야.
이 문제를 해결하기 위해 SSD 내부에는 이런 기능이 있어:
웨어 레벨링(wear leveling) → 모든 블록이 비슷한 횟수로 쓰이도록 조절해서 수명을 고르게 만들어주는 전략!
→ SSD는 쓰기 횟수를 자동으로 추적해서, 같은 블록만 반복해서 쓰이지 않도록 조정해줘!
→ 이건 마치 일기장을 맨 앞장만 쓰면 종이가 다 닳을 테니, 페이지를 고르게 써서 오래 쓰는 것과 비슷하지! 📓
5) SSD는 디스크지만 ‘메모리’이기도 해!
SSD는 메모리 기반의 디스크라고 보면 돼.
내부에 DRAM도 있고, 플래시 메모리도 있고,
SSD 자체가 RAM과 ROM의 특징을 섞어서 가진 저장장치지.
6) 플래시 메모리의 종류도 다양해
EPROM
자외선을 쬐면 지울 수 있는 ROM
EEPROM
전기로 지울 수 있는 ROM (플래시 메모리는 여기 포함!)
플래시 메모리
여러 셀에 전자 저장, 빠르고 비휘발성, SSD의 핵심 부품
✨ 요약 정리
SSD는 플래시 메모리를 사용한 저장장치야!
플로팅 게이트에 전자를 저장해서 비휘발성 특성을 가지지.
HDD보다 빠르지만, 쓰기 수명은 제한적이야.
그래서 웨어 레벨링 같은 기술로 수명을 관리해.
읽기는 빠르고 위치에 상관없지만, 쓰기는 블록 단위라 구조적으로 조금 복잡해.
플래시 메모리는 결국 EEPROM의 발전형이고, ROM처럼 비휘발성, RAM처럼 원하는 주소에 접근 가능하다는 특성을 가지지!
6. 오류 감지와 정정
주제는 데이터 오류 검출과 정정이야! 컴퓨터에서 우주 방사선도 비트를 바꿀 수 있다는 충격적인(!) 이야기부터, 패리티, 해밍 코드, 체크섬, CRC, 해시까지 오류 검출의 전 과정을 보자
🛡️ 데이터 오류를 막아라! - 컴퓨터의 오류 검출과 복구 이야기
1) 정말로 비트가 바뀌는 일이 있다고?
맞아! 이론적으로가 아니라 실제로 벌어지는 일이야.
우주 방사선 같은 외부 요인이 메모리 셀을 치면, 비트 하나가 바뀔 수도 있어!
예를 들어, 0이던 비트가 갑자기 1로 바뀌는 일이 생긴다는 거야 😨
이런 일이 발생했을 때,
빨리 감지할 수 있으면 좋고
스스로 고칠 수 있다면 더 좋겠지?
물론 이렇게 개선하려면 돈이 들어가기 때문에 일반 소비자에게 판매하는 제품 수준에서는 이런 기능이 들어가 있는 경우가 많지 않아...!
2) 가장 기본적인 방법! 패리티(Parity)
패리티parity를 사용하면 단 1비트만 데이터가 잘못된 경우를 감지할 수 있어!
어떻게 동작하냐면...
데이터의 1 비트 개수를 세어!
짝수 개수면 패리티 비트를 0, 홀수 개수면 패리티 비트를 1로 설정해.
이걸로 나중에 데이터를 검사했을 때, 비트가 홀수 개 바뀌면 오류를 감지할 수 있어.
모든 비트의 XOR을 취하면 쉽게 이런 비트를 만들 수 있어!
짝수 패리티even parity는 모든 비트를 서로 XOR 한 값을 사용
홀수 패 리티odd parity는 XOR 한 값의 보수를 사용
예시로 보면?
1010 0110
4개 (짝수)
0
1001 0001
3개 (홀수)
1
근데 문제는…
❗ 짝수 개 비트가 동시에 바뀌면? → 감지 못해! 😵 (패리티만으로는 "짝수 번 바뀐" 오류는 감지가 안 돼)
3) 그럼 오류를 직접 고치는 건?
등장! 해밍 코드(Hamming Code)
리처드 해밍이라는 수학자가 만든 멋진 코드야.
단순히 "오류가 있다!"는 걸 넘어서, → 오류가 생긴 비트의 위치까지 찾아내서 수정할 수 있어!
예를 들어 8비트 데이터에 몇 개의 해밍 비트(패리티 역할)를 추가해 어디에서 오류가 났는지 위치를 추적하는 방식이야.
그래서 요즘 서버나 항공, 우주 분야처럼 신뢰성이 매우 중요한 컴퓨터는 👉 ECC 메모리라는 걸 써. (ECC = Error Checking and Correction)
4) 데이터가 자주 바뀌지 않는 경우엔?
예를 들어,
소프트웨어 파일이나
이미지 파일처럼 정적인 데이터의 무결성을 확인할 땐 더 간단하고 값싼 방법이 있어!
✅ 체크섬(Checksum)
모든 바이트 값을 쭉 더해서,
그 합을 특정 비트 수(n비트)로 잘라서 저장해.
→ 나중에 읽을 때 다시 더해보고 값이 맞는지 확인!
✅ CRC (순환 중복 검사, Cyclic Redundancy Check)
체크섬보다 훨씬 더 정교하고 수학적으로 강력한 방식!
네트워크 패킷이나 디스크 저장 등에 자주 쓰여.
✅ 해시(Hash)
아주 조금이라도 바뀌면 해시 값이 완전히 달라져!
보안이나 파일 무결성 검증에 널리 쓰여.
예: Git에서 커밋 ID도 해시값이지! 😎
5) 우주에서도 안전하게? ‘트리플 복제 + 투표 시스템’
정말 중요한 시스템은 → 데이터를 3벌 저장하고 → 투표(Voting)로 다수결 판단을 해!
"얘랑 얘랑 같으니까 너(혼자 다른 값)는 틀린 거야!" 이런 식으로!
→ NASA나 스페이스 셔틀 컴퓨터는 실제로 이 방식을 써.
✨ 마무리 정리
컴퓨터의 데이터는 물리적 이유로 오류가 날 수 있다.
오류를 막기 위한 기법:
패리티 비트: 1비트 오류 감지
해밍 코드: 1비트 오류 감지 + 정정
ECC 메모리: 해밍 코드 응용
체크섬, CRC, 해시: 정적인 데이터 검증
트리플 복제 + 투표 시스템: 신뢰성이 필수인 우주/항공/서버용
7. 소프트웨어냐 하드웨어냐, 그것이 문제로다?
소프트웨어와 하드웨어의 경계가 얼마나 모호해졌는지, 그리고 하드웨어를 소프트웨어처럼 다룰 수 있는 시대가 왔다는 이야기야.
🔍 1) 하드웨어와 소프트웨어, 진짜 다를까?
우리는 보통 이렇게 생각해:
하드웨어는 눈에 보이고, 만질 수 있는 장치들.
소프트웨어는 눈에 안 보이는 코드, 프로그램.
그런데 실제로는 둘 사이의 경계가 생각보다 흐릿해. 왜냐하면, 우리가 사용하는 논리도 결국 전기 회로(하드웨어)로 구현되거나, 코드(소프트웨어)로 구현되는 거니까!
📌 “논리를 소프트웨어로 구현하느냐, 하드웨어로 구현하느냐”의 차이일 뿐이야.
💡 2) ROM, PROM, EEPROM… 이건 다 뭐야?
이전에 우리가 본 ROM 계열 메모리들 있지?
ROM: 한 번만 쓸 수 있고 읽기만 가능
PROM: 사용자가 한 번만 쓸 수 있음
EPROM: 자외선으로 지우고 다시 쓸 수 있음
EEPROM: 전기로 지우고 다시 쓸 수 있음
플래시 메모리: EEPROM의 진화형. SSD나 USB에 들어가!
이건 단순한 저장장치 얘기가 아니야. 👉 이 방식들이 그대로 회로 설계 기술로도 사용된다는 게 핵심이야!
⚙️ 3) 하드웨어 설계도 ‘프로그래밍’이다
옛날엔 하드웨어를 설계하려면 필름 위에 마스킹 테이프를 붙이며 일일이 설계해야 했어. 그런데 1979년, 카버 미드와 린 콘웨이라는 두 과학자가 전자 설계를 자동화할 수 있는 방법을 제시하면서, 칩 설계도 소프트웨어처럼 작성하는 시대가 열렸지.
✍️ 요즘은 Verilog, VHDL, SystemC 같은 프로그래밍 언어로 하드웨어를 설계해.
🏗️ 4) 직접 회로를 ‘프로그래밍’한다? FPGA의 등장
자, 이제 진짜 재밌는 얘기! 현대에는 아예 하드웨어 회로를 ‘프로그래밍’할 수 있는 칩도 있어.
그게 바로 FPGA (Field-Programmable Gate Array)야.
이름 그대로, 현장에서(Field) 직접 회로를 구성할 수 있는 칩이야.
즉, 우리가 회로도를 그리는 대신, 소프트웨어로 로직을 짜서 회로를 구성할 수 있어!
💡 “FPGA는 하드웨어처럼 생긴 소프트웨어다”라고 보면 돼.
🔁 PROM~FPGA까지 대응 구조로 보면 이렇게 정리돼:
ROM
고정 회로
한 번만 쓸 수 있음
PROM
커스텀 설계 회로
사용자 1회성
EEPROM
고정 + 재설정 가능 회로
일부 재설계 가능
Flash Memory
유연한 회로 구성 가능
여러 번 재프로그래밍 가능
FPGA
완전한 소프트웨어적 회로
회로를 직접 소프트웨어로 프로그래밍
🚀 5) 소프트웨어만 아는 사람도, 하드웨어를 짤 수 있는 시대!
예전에는 컴퓨터 프로그래머는 주어진 하드웨어 위에 소프트웨어를 얹는 사람이었어. 하지만 이제는, 하드웨어와 소프트웨어를 함께 설계하고 최적화하는 프로젝트도 많아졌어!
특히 FPGA를 다루는 팀에 들어가게 되면, 소프트웨어 지식만 가지고도 논리 회로를 구현하고, 성능 최적화까지 직접 할 수 있는 시대가 온 거야!
“코드로 회로를 설계하고, 코드로 하드웨어를 제어한다.” 앞으로는 이 둘의 경계를 넘나드는 사람이 진짜 실력자가 될 수 있어.
딥다이브
1) 클럭을 만들어주는 클리스털 발진기 는 어디에 있을까?
🧠 즉, 발진자가 곧 클록이다!
발진자(Oscillator)는 주기적으로 0과 1의 신호를 만들어내는 장치야. → 그 주기적인 전기 신호가 바로클록(Clock Signal)이 되는 거고!이 클록 신호는 컴퓨터 회로 전체에 "지금 계산해!", "기억해!" 같은 동기화 신호를 계속 보내주는 역할을 하지.
🖥️ 그럼 발진자는 어디 있냐?
CPU 안에도 클록 신호를 받는 회로가 있어.
하지만 발진자(클록 자체)는 보통 메인보드(메인 회로판)에 따로 탑재돼 있어!
즉...
⛏️ 발진자는 메인보드 위에 따로 있음 → ⏱️ 그게 클록 신호를 만들어냄 → 🧠 CPU와 다른 부품들이 그 클록 신호에 맞춰 동작함
예를 들어
너의 컴퓨터 메인보드에는 작은 크리스털 발진자가 있어. (보통 금속 캔 모양이야 ⛓️)
이게 1초에 수억~수십억 번 전기적 신호를 깜빡깜빡 만들어내.
이 신호를 CPU가 받아서 정해진 타이밍대로 동작하는 거지!
🔍 덧붙여서…
요즘 고급 CPU는 내부적으로도 복수의 클록 도메인(clock domain)을 가져.
예: 연산 부, 캐시 메모리, 버스 등이 서로 다른 속도로 움직이기도 해!
이런 구조 덕분에 CPU는 복잡한 연산을 더 효율적으로 처리할 수 있어.
요약하자면:
✅ 발진자 = 클록 신호 생성기 ✅ 클록 = CPU의 박자 ✅ 발진자는 메인보드에 있지만, CPU는 그 신호에 맞춰 움직인다!
2) “일반적인 논리 회로 설계 오류는 최댓값이나 최솟값을 사용하지 않고 전형적인 값을 사용하기 때문에 생긴다.”
🤔 무슨 상황일까?
컴퓨터 회로나 CPU 같은 디지털 회로는 전기가 얼마나 빨리 흐르느냐(=전파 지연 시간)에 따라 동작 속도가 달라져.
근데 이 전파 지연 시간은 항상 딱 고정된 값이 아니야!
왜냐하면:
만드는 공정에서의 미세한 차이,
온도 변화,
전압 차이 등등에 따라 느려지기도 하고 빨라지기도 하거든.
그래서 제조사는 보통 이렇게 말해:
최솟값: “이 정도면 가장 빨리 반응해요!”
전형값: “보통은 이 정도 속도예요~”
최댓값: “이 이상 느려지는 경우도 있으니 대비하세요!”
❗ 그런데 문제는 뭐냐면…
논리 회로를 설계할 때 “보통 이 정도니까 괜찮겠지~” 하고
전형적인 값(typical value)만 가지고 회로를 짜는 사람이 많다는 거야.
그런데 만약, 현실에서는 그 회로에 최댓값 수준의 지연이 생긴다면?
회로는 예정보다 더 느리게 반응하게 되고,
다음 단계가 그걸 기다리지 않고 실행해버리면
오류 발생! ❌
💥 예시로 정리해보자
🔍 그래서 안전하게 설계하려면?
최악의 경우(Worst case)를 생각해서
가장 늦게 반응할 수 있는 시간(최댓값)을 기준으로 설계해야 해!
이렇게 해야 예상치 못한 환경에서도 안정적으로 동작하는 회로가 되는 거야. 그래서 ‘전형값만 보고 회로를 짜면 오류 생긴다’는 거지!
🧠 요약하면?
전형값
평균적인 상황에서의 반응 속도
최댓값
가장 느리게 반응할 수 있는 상황
설계 오류
전형값만 고려하면, 실제 사용 중 최악의 상황에서 회로가 망가질 수 있음
해결책
항상 **=최악의 시나리오(최댓값)**를 고려해서 설계해야 안전함
3) feedback 값이란? OR 게이트 래치
📌 feedback 값이란?
feedback 값이란?출력값(out)을 다시 입력으로 되돌려 넣은 값이야. 즉, 회로에서 스스로 기억하려고 자기가 만든 출력 값을 다시 입력으로 넘겨주는 것이지!
🔁 어떻게 연결돼 있냐면?
OR 게이트는 보통 입력이 두 개 필요하잖아? 그러면 이렇게 연결돼:
그리고 나서 이렇게 계산돼:
🎯 예시로 한번 해보자!
처음 상태
in = 0
feedback = 0 (out도 0이니까)
→ out = in OR feedback = 0 OR 0 = 0
이제 in을 1로 바꿔보자!
in = 1
feedback = 0
→ out = 1 OR 0 = 1
💥 out이 1이 됐지?
이 값은 다시 feedback으로 되먹여서 OR 게이트 두 번째 입력으로 들어가.
그다음, 다시 in을 0으로 바꾸면?
in = 0
feedback = 이전 out 값 = 1
→ out = 0 OR 1 = 1
🤯 오! 입력을 다시 0으로 바꿨는데도 output은 여전히 1이네?
이게 바로 되먹임(feedback)의 힘이야! 한 번 상태가 바뀌면, 그걸 회로가 기억하고 유지하는 거지.
🔁 정리하면
in
외부 입력
우리가 주는 신호 (초기화/설정용)
feedback
내부 입력
회로의 출력값을 다시 입력으로 연결한 값
out
출력
in과 feedback 중 하나라도 1이면 1
🧠 이게 중요한 이유
이 구조 덕분에 회로가 자기 출력을 기억할 수 있게 돼! 바로 1비트 메모리의 시작이 되는 거야.
4) 인버터와 OR 게이트 래치의 차이
🔄 인버터(=NOT 게이트)는?
입력이
0이면 출력이1입력이
1이면 출력이0→ 즉, 무조건 반대로 바꿔주는 게이트야.
이걸 되먹임(feedback)으로 자기 자신한테 연결하면 어떻게 돼?
처음에
0넣으면 → 출력이1근데 그게 다시 입력으로 들어가니까 →
1→ 출력은0다시
0→1→0… 무한 반복!
그래서 계속 0 → 1 → 0 → 1 … 진동이 생겨! → 이걸 발진기(oscillator)로 쓰는 거야.
🧩 그런데 OR 게이트는?
OR 게이트는?
입력 중 하나라도 1이면 출력이 1
둘 다 0일 때만 출력이 0
예를 들어, OR 게이트에 이런 피드백을 걸면?
회로 구조:
입력:
in,feedback출력:
outout→ 다시 OR 게이트 입력으로 들어감 (되먹임)
🔍 예시로 따라가보자!
초기 상태:
in = 0,feedback = 0→ OR 게이트 출력
out = 0
그다음, in을 1로 바꿔!
in = 1,feedback = 0→ OR(1, 0) = 1 →
out = 1
이제 출력이 1이 됐지? 그럼 되먹임 입력도 1이 돼!
→ feedback = 1
이제 다시 in을 0으로 바꿔볼까?
in = 0,feedback = 1→ OR(0, 1) = 1 → 여전히
out = 1
와! in은 0으로 바뀌었는데도 출력은 계속 1로 유지돼!
🎯 핵심 차이: 인버터는 반전, OR은 고정화
인버터 피드백
계속 반전해서 입력/출력이 교차 → 진동 발생
발진기 역할
OR 게이트 피드백
한 번 1이 되면 계속 1 유지 → 안정적인 기억
래치 역할 (메모리)
💡 인버터는 ‘동그라미’가 핵심
맞아, 네가 말한 대로 인버터에는 동그라미(⊙) 가 붙어 있는데 그건 “출력을 반대로 바꿔라”는 의미야. 그래서 반전 → 반전 → 반전 반복 = 진동이 가능해.
그에 반해 OR 게이트는 동그라미가 없으니까, 출력을 반전하지 않아. 그냥 "둘 중 하나라도 1이면 무조건 1!"이야.
✨ 그래서 정리하면!
인버터는 입력 값을 반전시키기 때문에, 피드백이 들어오면 계속 바뀌고 → 진동!
OR 게이트는 반전 없이 값만 유지하기 때문에 → 한 번 1 되면 계속 1 → 기억 회로!
그래서 OR 게이트 래치는 진동하지 않고, 대신 1비트 기억하는 회로로 사용돼!
5) “reset가 로우이면 reset은 하이이므로, OR 게이트의 출력은 OR 게이트의 입력에 되먹임된다.
reset가 하이로 가면 reset은 로우가 되고, 그에 따라 되먹임이 깨지고 out은 0이 된다.”
이건 Active Low 신호인 reset 바(reset‾)가 어떻게 작동하는지를 설명하는 거야.
그럼 우리가 먼저 reset‾이 뭔지, 회로에서 어떤 흐름이 생기는지 정리해보자.
1️⃣ reset‾가 **로우(0)**일 때
reset‾가 **로우(0)**일 때기억해! reset‾는 바(‾)가 붙었으니까 Active Low 신호야.
즉, 0일 때 리셋 기능이 작동하는 거야.
하지만 이 문장은 reset가 로우면 reset은 하이다라고 말하지?
그건 뭐냐면…
문장 안의 첫 번째 "reset"은 **reset‾ (reset 바)**를 의미하고, 두 번째 "reset"은 그 값을 반전시킨 일반 reset 신호를 뜻해.
즉,
reset‾ = 0→reset = 1이 때는 리셋 기능이 꺼져있는 상태고,
출력
out은 피드백을 유지한 채로 동작한다는 말이야!
즉, out은 이전에 저장된 값 그대로 유지돼! (기억하고 있는 상태)
2️⃣ reset‾가 **하이(1)**일 때
reset‾가 **하이(1)**일 때바가 붙은
reset‾ = 1그럼 일반
reset = 0
즉, reset이 작동함!
이때는 AND 게이트의 출력이 무조건 0이 되고,
OR 게이트도 0을 출력하게 돼.
이 출력이 다시 피드백을 통해 입력으로 돌아가도, 계속 0이기 때문에 out이 0으로 고정!
결과: 래치가 리셋(초기화)돼서 out = 0!
🧩 정리해서 풀어보면!
reset‾ 값
작동 상태
결과
0 (로우)
reset 활성화 (리셋함)
out = 0
1 (하이)
reset 비활성화 (안함)
이전 out 유지 (기억된 값 유지)
🌟 핵심 요약
reset 바(
reset‾)는 0일 때 리셋 동작을 하라는 뜻이야!OR 게이트 회로에서 **되먹임(feedback)**은
reset‾이 1일 때만 유지돼.reset‾ = 0이면 회로가 강제로out = 0이 되게 만들어서 "기억을 지워버리는" 거고,reset‾ = 1이면 되먹임이 연결돼서 이전 값을 계속 유지하게 돼!
즉. reset 바(
reset‾)는 0일 때 리셋 동작을 하라는 뜻
6) 게이트가 열렸다가 뭘까
왜냐면 "참/거짓"이 우리가 일반적으로 생각하는 거랑 회로에서 쓰는 "신호 레벨"이 다를 수 있거든.
✅ gate 신호가 "하이(1)"일 때 → 회로는 닫힘 (입력 무시)
입력이 NAND 게이트를 통해 들어가잖아?
그런데 gate가 1이면,
NAND(gate=1, set)또는NAND(gate=1, reset)은 결국 set/reset 입력값이 제대로 전달되지 않아.그래서 출력은 이전 상태(Q)를 그대로 유지하게 돼!
✅ gate 신호가 "로우(0)"일 때 → 회로가 열림 (입력 반영)
gate가 0이면?
NAND(gate=0, set)은 무조건 1이 돼.이렇게 되면 실제로 S-R 래치 안에서 set과 reset이 정상적으로 작동하고, 출력이 바뀔 수 있어.
💡 그래서 핵심 정리는?
1 (하이)
"게이트 닫힘"
입력 무시, 출력 유지
0 (로우)
"게이트 열림"
입력 반영, 출력 갱신
🤔 그럼 왜 "gate=0"일 때 "게이트가 열렸다" 고 표현할까?
이건 액티브 로우(Active Low) 방식이기 때문이야!
논리적으로는 "게이트가 열려 있다" → 동작 가능 상태
근데 회로 구조상, 0일 때 동작하게 만든 구조인 거야.
그래서 "게이트가 열리면(Gate=0)", D나 set/reset 신호가 반영돼.
결론적으로 네 말:
gate가 거짓(하이 1)일 땐 아무 것도 기억하지 않아. 그냥 상태 유지. gate가 참(로우 0)일 때만 set/reset 신호에 따라 동작해!
👉 맞아! 완벽하게 정확해.
7) 디스크, 메모리, CPU 중 100% 넘을 수 없는 것? 넘으면 어떻게 되는가?
💻 CPU: 100% 넘는 것처럼 보일 수 있다 (멀티코어 때문)
1) CPU 사용률은 어떻게 계산될까?
단일 코어가 100% 사용되면 →
1코어 = 100%멀티코어 시스템에서는 전체 CPU % = (코어 수 × 100%) 예) 4코어면 전체 400% 가능 →
htop에서는 프로세스 CPU%가 400%까지도 가능함
2) CPU 100%면 무슨 일이 일어날까?
컨텍스트 스위칭 발생! → 다른 프로세스가 CPU를 사용하기 위해 현재 프로세스를 잠시 멈추고 다른 걸 실행
선점형 스케줄러가 CPU 점유를 강제로 나눔 →
타임 슬라이스단위로 번갈아 실행
✅ 그래서 CPU가 100%라도 "동작이 멈추는" 건 아니고, 속도가 느려질 뿐 동작은 계속함
💾 디스크 I/O: 100%가 넘는다기보단 병목이 생김
디스크는 병렬 연산이 제한적이기 때문에
100% 사용이라는 개념이 좀 달라I/O wait 비율이 높아지면 → CPU가 디스크 작업 끝날 때까지 "놀고" 있게 됨
📌 확인 방법:
→ %util이 100% 가까우면 디스크 I/O가 병목 중
또는 htop의 CPU 막대 중 **회색(아이오 대기 시간)**이 많으면 디스크 병목 상태
🧠 메모리: 100% 넘으면? → 스왑(SWAP) 사용 → 시스템 느려짐
1) 메모리가 다 차면?
커널은 디스크의 일부 공간을 SWAP으로 사용함 (가상 메모리)
디스크에 저장해두고, 다시 쓸 때 RAM으로 불러옴 (매우 느림!)
2) SWAP도 다 차면?
OOM(Out of Memory) Killer가 동작 → 커널이 메모리를 많이 먹는 프로세스를 강제로 종료시킴
3) 확인 방법:
RAM과 SWAP 사용량 확인 가능
정리 ✨
CPU
논리 코어 기준 100%
가능 (멀티코어 합산)
O (스케줄러가 분배)
디스크
I/O 대기로 느려짐
병목 생김
CPU가 대기함
메모리
SWAP 사용 시작
OOM으로 프로세스 죽음
X (메모리는 점유됨)
💬 그래서 "100% 넘을 수 있나요?" 요약하면:
CPU는 논리코어 기준이기 때문에 "100% 넘는 값도 있음"
디스크는 100% 넘는다기보다 병목 현상이 생김
메모리는 넘으면 스왑 → OOM → 죽음의 사이클
전체 요약 개괄
논리회로만으로는 +, -를 할 수 없음
기억을 못하기 때문에
그래서 전기흐름은 순간이라 시간의 흐름이 없어 인버터를 이용해서 출력을 입력으로 쓰는
발진자를 만듦발진자를 기반으로
클럭이 만들어짐기억을 하기 위해
래치가만들어짐
래치에는 or 래치의 단점인 1로 됐을 때 되돌릴 수 없어서 and-or로 그 단점을 고치려고 했지만 그렇게 되면 비대칭으로 지연시간 차이가 너무 나서 그걸 조절하기 위해 S-R로 했어 근데 이것도 단점이 있어
그래서 타이밍을 기억하기 위해
게이트를 추가그렇게 래치 게이트도 탄생
하지만 래치 게이트도 문제가 있는데, 그것을 해결하기 위해 메모리 회로의 핵심 플립플롭이 나옴.. 0-> 1 양의 에지에 의해 변화가 있을 때만 D를 저장해서 클럭에 의해 조절 가
참고
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